Photo MOS Relay TLP598G の特性測定

　１枚基板の K3NG キーヤーで CW 送信に使う Photo MOS Relay TLP598G の特性を測定してみました。

測定には安定化電源とデジタル・テスターを２台使って、ドライブ側 LED 側の電流・電圧測定と Photo MOS の抵抗測定を行っています。
① If-Vf

Photo MOS をドライブする LED 側の特性です。
If が 1mA を越える辺りで Photo MOS が On し始めます。
今回の基板では、推奨条件が 10mA 以上なので、約 11mA を流しています。

② If-Ron

1mA 以上で Ron が約7.4Ωで安定しています。
抵抗測定に使ったデジタル・テスターは三和の CD771 というテスターで、抵抗測定時の開放電圧は0.4V となっています。
もう一台のデジタル・テスターで抵抗測定時の電流を測ってみると、測定されるテスターの電流レンジを切り替えて、測定した抵抗値が 6.3Ω になる様にすると 140μA の電流が流れていました。
なので、Ron 7.4Ωを測定している時にもその程度の電流で測定していると見られます。
けっこう少ない電流でも Ron が低くなっているようです。

この Photo MOS Relay を使ったキーヤーは、前に作った真空管式 QRP 送信機のキーヤーとして使うつもりなので、カソード・キーイングに耐えられる耐圧と少ない On 電流でも使える事を考えて選びました。
Off 時の耐圧は 320V、絶対最大定格が 400V なので問題なく真空管送信機に使えます。
On 電流も 150mA まで使えるので、半導体を使った送信機でも問題なく使えます。
さらに、送信機側と光でアイソレートされているので、送信機からの回り込みにも強いはずです。

このキーヤーが出来たら真空管式 QRP 送信機をケースに入れて、DDS VFO と接続する構想があるのですが、いつ完成するかは.... 見通しが経っていません。 その前に部屋の片づけと溜まった作りかけのキットを完成させないと。