µSDX の ドレイン変調 と ゲート変調 について

　µSDX の ドレイン変調 と ゲート変調 についての議論です。

Groups.io に Guido PE1NNZ が書いていたドレイン変調に対するゲート変調の利点と欠点を訳してみました。

ゲート変調にはドレイン変調に比べていくつかの利点があります：
1. ドレイントランジスタの場合のように、電圧降下による大幅な電力損失がありません
2. ドレイン変調器のような高出力フィルタネットワークがないため、パワーレベル制御が高速です
3. バイアス制御を使用すると、スイッチングRF方形波はスイッチオン・イベントを完全に改善する事ができます (ただし、スイッチオフ・イベントを完全に維持するには注意が必要です)
4. 安定したCoss/iss/rssですが、ドレイン変調の場合、Vdsの変化により変化して、結果として位相歪みが発生します
5. 作るのが簡単になり、コンポーネントが減り、複雑さが減り、他のコンポーネントのロスが減ります

しかし、次のような欠点もあります：
1. 温度に敏感で、
2. ゲートスレッショルド付近の下部領域では非線形です

これに対し、Hans G0UPLからの反論もあります。
しかし、長文なので、ごめんなさい。m(__)m
結論としては、
「全体として、私は個人的に、回路の複雑さの点を除けば、ドレイン変調アプローチにはゲートバイアス変調と比較して大きな利点があると考えています。」
と書いています。

そして
VK2IHL OM のページ
を紹介しています。

あと、こちらも参考に。
Linearity and Efficiency Performance of a Modified Envelope Elimination and Restoration Transmitter Architecture