RF アンプをフロントエンドに追加して、超再生受信機の漏洩電波を減らす

　超再生受信機は、何もしないとかなりな漏洩電波を出します。

原理的に、発振動作をしているので避けられません。RX50 も同様です。

そこで、フロントエンドに RF アンプを追加して、どの程度、漏洩電波を減らせるかを見てみました。

まず、素のままの RX50 の漏洩電波です。

ピークでは -30dBm ものパワーがあります。

こちらは RF アンプを入れた場合です。

ピークでも -70dBm に抑えられています。相対的に、だいぶ減らせており、効果はあります。

これは、RF アンプを入れたまま、RF アンプの電源を切った場合です。MOS FET の動作が変わり、漏洩電波が増えています。


TX50 と RX50 を一つの筐体に入れ、トランシーバーとする場合は、最低でも LPF と RF アンプの追加は必須な事が分かりました。

FET RF アンプのゲインを測る

　SG と DSA815-TG を使い、FET RF アンプのゲインを確認してみました。

SG からの信号です。50.620MHz で -90.0dBm です。


RF アンプの出力を見ています。RBW と VBW を絞って、ノイズフロアを下げて測っています。


レベルを変えながら見ていたところ、だいたい 3dB のゲインとなりました。
入力側に 50MHz FCZ コイル、ソース接地の増幅回路で、ドレイン側の負荷を RF チョーク・コイルとしています。
出典は、今井 栄 (著)「作りながら理解するラジオと電子回路 (HAM TECHNICAL SERIES)」、４－３ 超再生方式のエアバンド・レシーバの製作 です。

NanoVNA-H4 で RF アンプを測る

　今度は、NanoVNA-H4 で RF アンプを測ってみました。

測定の様子です。

NanoVNA-H4 と RF アンプを同軸ケーブルで接続し、RF アンプの出力にアッテネーターを入れました。

今回、使用するケーブルが今までと異なりますので、キャリブレーションを行います。
Stimulus は、10MHz から 100MHz にしました。
次に、同軸ケーブルの先端で、Open、Short、Load、Isolation、Through のキャリブレーションを行います。Isolation では、両方の同軸ケーブルを 50Ω で終端しています。
Smith チャート表示にして、キャリブレーションできている事を確認しておきます。

測った結果です。
表示を見ながら FCZ コイルのコアを調整して、50.6MHz で出力が最大になるようにしています。

RF アンプへの入力が小さいせいか、ゲインが 2.1dB しか取れません。

これは Stimulus を変更し、アッテネーターを 40dB から 10dB に変更して見ています。
横軸は１目盛りが 10MHz です。縦軸は１目盛りが 3dB です。

3dB 下がったところの帯域幅は、＋8MHz、ー11MHz となっています。

次に、これを RX50 超再生受信機に付けて、漏洩電波がどのくらい減るかを見てみたいと思います。
RX50 の漏洩電波については、こちらにあります。